特許

J-GLOBAL ID：200903031217420006

基板保持具、半導体製造装置、結晶成長方法及び半導体製造方法

発明者： 大塚 信之 ,  鬼頭 雅弘 ,  石野 正人 ,  松井 康
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-109133
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298232
出願日： 1996年04月30日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】 結晶成長工程の処理回数にかかわらず結晶成長温度が一定となるようにし、また、結晶成長用基板の基板温度を正確に測定できるようにする。【解決手段】 基板ホルダー10Aは、モリブデン等の高融点金属からなり、半導体結晶の結晶成長用基板を保持する領域である基板保持部11と、該基板を保持しない領域である基板非保持部12とにより構成されている。基板非保持部12の上面は結晶成長用基板の結晶格子との格子不整合率が10%以内である多結晶基板により覆われている。

請求項（抜粋）：

半導体の結晶成長用基板を保持する基板保持具であって、基板を保持する領域である基板保持部と、基板を保持しない領域である基板非保持部とを有し、前記基板非保持部の上面は、前記結晶成長用基板の結晶格子との格子不整合率が10%以内である結晶基板により覆われていることを特徴とする基板保持具。

IPC (6件)：

H01L 21/68 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  C30B 25/12

FI (6件)：

H01L 21/68 N ,  C23C 16/44 H ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  C30B 25/12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-335723   出願人：松下電器産業株式会社
• 連続鋳造用鋳型
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-107258   出願人：新日本製鐵株式会社