特許
J-GLOBAL ID:200903031217511559
化合物半導体の評価方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
並川 啓志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-174669
公開番号(公開出願番号):特開平7-014894
出願日: 1993年06月23日
公開日(公表日): 1995年01月17日
要約:
【要約】【構成】 化合物半導体のキャリア濃度分布を室温フォトルミネッセンスによる発光ピ-ク波長での発光強度の半値幅を用いて測定する。【効果】 化合物半導体の詳細なキャリア濃度分布を非破壊にて容易且つ正確に評価することができる。
請求項(抜粋):
化合物半導体のキャリア濃度分布を室温フォトルミネッセンスによる発光ピ-ク波長での発光強度の半値幅を用いて測定することを特徴とする化合物半導体の評価方法。
引用特許:
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