特許

J-GLOBAL ID：200903031229562450

アクティブマトリクス基板

発明者： 宮坂 光敏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-002688
公開番号（公開出願番号）：特開平9-189922
出願日： 1996年01月10日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】 画素構造を改良して、表示の欠陥などの発生を防止し、品質の高い表示を行うことのできるアクティブマトリクス基板および液晶表示装置を提供することにある。【解決手段】 アクティブマトリクス基板2では、データ線3と第1のゲート線42Nとの交点、およびデータ線3と第2のゲート線42Pとの交点からなる2つの交点に1つの画素が対応するように構成され、該画素のそれぞれについて、第1のゲート線42Nを介して駆動されるN型TFT10Nと、このTFTに電気的接続する第1の画素電極62Nと、第2のゲート線42Pを介して駆動され、N型TFT10Nと相補構成にあるP型TFT10Pと、該TFTに電気的接続する第2の画素電極62Pとを有する。第1および第2の画素電極62N、62Pは、自身が属する画素の第2および第1のゲート線42P、42Nに重なって第1および第2の保持容量92N、92Pをそれぞれ構成している。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたデータ線と第1のゲート線との交点、および前記データ線と第2のゲート線との交点からなる2つの交点に1つの画素が対応するように構成され、該画素のそれぞれについて、前記第1のゲート線から印加される第1のゲート信号によって駆動され、前記データ線にソース領域が電気的接続するN型薄膜トランジスタと、該N型薄膜トランジスタのドレイン領域に電気的接続する第1の画素電極と、前記N型薄膜トランジスタと同一のデータ線にソース領域が電気的接続し、前記第2のゲート線から印加される第2のゲート信号によって前記N型薄膜トランジスタに対して相補的に駆動されるP型薄膜トランジスタと、該P型薄膜トランジスタのドレイン領域に電気的接続する第2の画素電極とを有することを特徴とするアクティブマトリクス基板。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 613 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-241326
  
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-005534   出願人：シャープ株式会社
• 液晶表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-145214   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭62-218987