特許
J-GLOBAL ID：200903031230369621
プロセス裕度計算方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-001426
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199787
出願日： 1997年01月08日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 測定されたパターン寸法の焦点位置及び露光量依存性から精度良くプロセス裕度(ED-tree)を計算する。【解決手段】 投影露光装置を用いてマスクパターンをウェハ上に塗布されたレジストに転写する工程のプロセス裕度を求めるプロセス裕度計算方法において、露光量及び焦点位置を変化させて形成したレジストパターンの寸法をそれぞれ測長する工程と、焦点位置毎に測長値の露光量依存性のデータをn次の回帰曲線で近似する第1の近似工程103と、露光量毎に103で得られた値の焦点位置依存性のデータをmk次の回帰曲線で近似する第2の近似工程104と、焦点位置毎に104で得られた値の露光量依存性のデータをr次の回帰曲線で近似する第3の近似工程109と、109で得られた結果から各焦点位置に対してレジストパターンの寸法が許容範囲に仕上がる露光量を求める工程110とを含む。
請求項（抜粋）：
投影露光装置を用いて被処理基体上のレジストにマスクパターンを転写する工程のプロセス裕度を求める方法において、前記投影露光装置による露光量及び焦点位置を変化させて形成したレジストパターンの寸法をそれぞれ測長する第1の工程と、変化させた焦点位置毎に測長値の露光量依存性を近似する第2の工程と、変化させた露光量毎に第2の工程で得られた値の焦点位置依存性を近似する第3の工程と、変化させた焦点位置毎に第3の工程で得られた値の露光量依存性を近似する第4の工程とを含むことを特徴とするプロセス裕度計算方法。
FI (2件)：
H01L 21/30 516 D
, H01L 21/30 516 Z
