特許

J-GLOBAL ID：200903031251432374

パターン形成方法

発明者： 田中 稔彦 ,  内野 正市 ,  浅井 尚子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-031683
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045614
出願日： 1996年02月20日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】基板からの反射光によるハレーションや干渉現象による問題(寸法精度劣化)を解決し、反射率の高い基板,透明膜が介在する基板等においても微細で高精度のパターンを形成する方法を提供する。【解決手段】被加工基板1とレジスト膜4との間に、露光光6に対する光吸収率がレジスト膜4側に比べ基板1側で大きい反射防止膜2’を形成し、所望のホトマスク5を用いて露光する。また、反射防止膜2’として、露光光に対する干渉膜である上層膜、上層膜に比べ露光光吸収率が高く遮光膜として機能する下層膜からなる二層反射防止膜を用いる。また、反射防止膜2’として、露光光を反射する下層膜及び露光光に対する干渉膜である上層膜からなる二層反射防止膜を用いる。

請求項（抜粋）：

基板上に反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜上に感光性薄膜を形成する工程と、前記感光性薄膜に所望のパターンを露光する工程と、露光を行った前記感光性薄膜を現像する工程とを有するパタ-ン形成方法において、露光光に対する上記反射防止膜の光吸収率は、膜厚方向に対して不均一であることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/314

FI (7件)：

H01L 21/30 574 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/312 A ,  H01L 21/312 M ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/314 M