特許

J-GLOBAL ID：200903031251574160

CVD装置及びCVD膜生成方法

発明者： 北原 浩司
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-322718
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176491
出願日： 1993年12月21日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体製造に用いられるCVD装置に関し、膜質の優れたCVD膜を均一な不純物濃度、及び均一な膜厚で形成することを可能とする。【構成】反応炉本体1内に反応ガスを供給する挿入位置調節機構付きガス導入管15と、反応炉本体から引き抜いた時のシャッター機構18とを具備し、反応炉本体の温度変化に合わせてガス導入管15の位置を移動する。また、成膜終了後、ガス導入管を引き抜きシャッターを閉じることを可能とするCVD装置。【効果】反応炉本体内の温度変化に伴いガス導入管の位置を移動し反応炉本体内の温度分布を均一にすることによって、膜質の優れたCVD膜を均一な不純物濃度、及び均一な膜厚で形成することができ、また、成膜終了後、ガス導入管を炉内から引き抜くことによって不純物濃度、及び膜厚が均一で膜質の優れたCVD膜をウェハーの表面に形成することができる。

請求項（抜粋）：

被処理体が収容される反応炉本体と、前記反応炉本体を加熱する加熱手段と、前記反応炉本体の温度を検出する温度検出手段と、前記反応炉本体内に生成ガスを供給するガス導入手段と、前記反応炉本体内を排気する排気手段とを有するCVD装置において、前記ガス導入手段は、前記反応炉本体内への挿入位置調整機構を有し、前記温度検出手段により検出した前記反応炉本体内の温度変化に応じて、挿入位置を制御することを特徴とするCVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/52