特許

J-GLOBAL ID：200903031253998162

半導体製造装置

発明者： 高橋 武人
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-194093
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036618
出願日： 1991年08月02日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】 真空予備室を備えた半導体製造装置において、半導体ウエハが真空排気時に帯電したり、ウエハ表面に自然酸化膜が成長するのを抑制する。【構成】 ローダ側真空予備室2に不活性ガスを供給するガス供給装置12と、圧力開放装置13とを連通させる。ローダ側真空予備室2内に不活性ガスを送り続けて不活性ガス雰囲気とした状態でウエハ9を挿入する。ローダ側真空予備室2内が絶えず不活性ガスで置換され、ローダ側真空予備室2内からは酸素や水分等が減少する。このため、真空排気時の乱流によるガス分子のイオン化が抑制される。

請求項（抜粋）：

高真空となる処理室を有する半導体製造装置本体の半導体ウエハ入口部に真空予備室を備えた半導体製造装置において、前記真空予備室に不活性ガス導入装置および圧力開放装置を連通し、この不活性ガス導入装置を、真空予備室へ半導体ウエハを挿入するときの前後にわたって作動させ続け、真空予備室内を不活性ガス雰囲気とした状態で半導体ウエハを挿入することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (6件)：

H01L 21/265 ,  B65D 81/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/68