特許
J-GLOBAL ID:200903031254409020

厚膜パターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 土井 育郎 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-232453
公開番号(公開出願番号):特開平9-076155
出願日: 1995年09月11日
公開日(公表日): 1997年03月25日
要約:
【要約】【課題】 感光性樹脂膜を充填工程でのマスク材に使用して厚膜パターンを形成するに際し、充填工程後の感光性樹脂膜表面に付着したペースト材料の残渣を、基板やパターンに与える影響を抑制しながら安全に効率よく除去処理する。【解決手段】 基板20上にフォトリソグラフィー法でパターン化した感光性樹脂膜22を設け、その感光性樹脂膜22の凹部22aにペースト材料24を充填した後、感光性樹脂膜22の表面に付着したペースト材料24の残渣24aをサンドブラスト法により除去してから感光性樹脂膜22を剥離し、基板全体を焼成してペースト材料24を基板上に固着させる。マスク材としての感光性樹脂膜22やパターンに機械的な負荷をかけることなく、また有機溶剤等を含浸させることなく残渣24aを除去できる。
請求項(抜粋):
基板上に厚膜パターンを形成する方法において、少なくとも次の各工程を含むことを特徴とする厚膜パターン形成方法。(1)基板上にフォトリソグラフィー法でパターン化した感光性樹脂膜を設ける工程。(2)前記感光性樹脂膜の凹部にペースト材料を充填して乾燥する工程。(3)前記感光性樹脂膜の表面に付着したペースト残渣をサンドブラスト法により除去する工程。(4)前記感光性樹脂膜を剥離する工程。(5)前記基板全体を焼成し、前記ペースト材料を基板上に固着させる工程。

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