特許
J-GLOBAL ID：200903031255085482
シリコン基板およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本多 小平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-090709
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291097
出願日： 1992年04月10日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 DZ層の高い結晶性、高いゲッタリング能力と基板の機械的強度を確保したシリコン基板およびその製造方法を提供するものである。【構成】 内部欠陥の密度分布が厚さ方向に表面から中心にかけて順に1×105 cm-3以下の密度の領域、1×107 cm-3以上の密度の領域、1×107cm-3未満の密度の領域を有するシリコン基板である。その製造方法は、まず、シリコン基板中に酸素を内方拡散させた後に表面層の固溶酸素を外方拡散させることにより、シリコン基板の厚さ方向に表面から中心にかけて表面側の領域は5×1017cm-3以下の固溶酸素領域、中間の領域はウエハ中心領域の固溶酸素濃度より高い固溶酸素領域を有するシリコン基板を製造する。その後に、該シリコン基板400°C以上1050°C以下の温度に加熱して30分間以上の熱処理を行うことにより、前述の内部欠陥の密度分布を得る。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の厚さ方向に表面から中心にかけて1×105cm-3以下の欠陥密度の領域、1×107 cm-3以上の欠陥密度の領域 および1×107 cm-3未満の欠陥密度の領域を順次有することを特徴とするシリコン基板。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, C30B 29/06
, H01L 21/322
