特許
J-GLOBAL ID：200903031260775268
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-350085
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181068
出願日： 1995年12月22日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 ポリ・バッファLOCOS素子分離法を行う際に、シリコン基板にマイクロトレンチ現象)が生じるのを防止する。【解決手段】 シリコン基板1上にシリコン酸化膜2、多結晶シリコン膜3およびシリコン窒化膜4を形成し、素子分離領域とすべき領域のシリコン窒化膜4をエッチング除去する。しかる後、ドライ酸化雰囲気で60分間の熱処理を行ってシリコン窒化膜4で被覆されていない多結晶シリコン膜3をドライ酸化膜6とする。この後、水蒸気酸化雰囲気に切り換えてから60分間の熱処理を行ってフィールド酸化膜5を形成する。
請求項（抜粋）：
選択酸化素子分離構造によって素子間分離がなされる半導体装置の製造方法において、半導体基板にシリコン酸化膜と多結晶シリコン膜とシリコン窒化膜を順次形成する工程と、前記シリコン窒化膜をパターニングする工程と、第1の雰囲気中において前記半導体基板に第1の熱処理を施した後、前記第1の雰囲気とは異なる第2の雰囲気中において前記半導体基板に第2の熱処理を施す工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/94 A
, H01L 21/76 M
