特許
J-GLOBAL ID：200903031262296855
シリコンウエーハの結晶評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-282149
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102274
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 シリコンウェーハの結晶特性と関連づけることができるシリコンウェーハの結晶評価方法を提供する。【構成】 シリコンウェーハ1にドライ酸化膜2を25nmの膜厚に形成する。次に、このドライ酸化膜2上に面積が0.2〜20mm2のポリシリコン電極3を81個形成する。次いで、上記ドライ酸化膜2の絶縁破壊耐圧分布を測定する。そして、この測定からBモード不良率を求め、このBモード不良率から上記ドライ酸化膜2の表面欠陥密度を求め、この表面欠陥密度と上記ドライ酸化膜2の膜厚とからシリコンウェーハ1の体積欠陥密度を求める。
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハに酸化膜を所定の膜厚に形成し、この酸化膜上に電極を形成し、上記酸化膜の絶縁破壊耐圧分布を測定し、この測定からBモード不良率を求め、このBモード不良率から上記酸化膜の表面欠陥密度を求め、この表面欠陥密度と上記酸化膜の膜厚とからシリコンウェーハの体積欠陥密度を求めることを特徴とするシリコンウェーハの結晶評価方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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