特許
J-GLOBAL ID：200903031262452660
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-215151
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061503
出願日： 1992年08月12日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 書込、消去時に電子のやりとりが行なわれる部分と、ゲートバーズビークとを位置的にずらせることにより、書込、消去動作の安定と信頼性の向上を図る。【構成】 p型半導体基板1の主表面には、チャネル領域を規定するようにソース拡散領域6およびドレイン拡散領域7が形成されている。このソース拡散領域6およびドレイン拡散領域7のp型半導体基板1表面近傍における端部よりもチャネル領域から離れた位置に端部を有する不純物導入層21が、p型半導体基板1上に形成されている。この不純物導入層21上にその端部を乗上げるように、フローティングゲート電極3が、ゲート絶縁膜2を介してp型半導体基板1上に形成されている。このフローティングゲート電極3上には、層間絶縁膜4を介してコントロールゲート電極5が形成されている。
請求項（抜粋）：
主表面を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主表面にチャネル領域を規定するように形成された第2導電型の1対の不純物領域と、前記チャネル領域から所定間隔を隔てた位置に端部を有し、前記チャネル領域から遠ざかる方向に延びるように形成された、前記不純物領域形成のための拡散源となる1対の不純物導入層と、前記チャネル領域上および前記不純物と導入層上に形成されたゲート絶縁膜と、その両端部が前記ゲート絶縁膜を介して前記不純物導入層に乗上げるように、前記チャネル領域上に前記ゲート絶縁膜を介して形成されたフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極上に層間絶縁膜を介して形成されたコントロールゲート電極と、を備えた不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
