特許

J-GLOBAL ID：200903031264157631

構造体、イオン伝導性固体電解質薄膜、その製造方法及びイオン伝導性固体電解質薄膜素子

発明者： 堀切 智成
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-231841
公開番号（公開出願番号）：特開2002-042549
出願日： 2000年07月31日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 シリカメソ構造体の配向性を有し、イオン伝導方向に異方性を有した高イオン伝導性固体電解質薄膜を提供する。【解決手段】 少なくとも1種類以上のイオン伝導性を有する物質を担持し、構造に方向性を付与したシリカメソ構造体薄膜と、該構造体薄膜に電界を印加する一対の電極とから構成され、上記電極間に印加する電界によりイオンを輸送する方向に異方性を有する高イオン伝導性固体電解質薄膜。

請求項（抜粋）：

複数の細孔を有し、該細孔の長手方向が実質的に同一方向であり、前記細孔中にイオン伝導性を有する物質を内包した構造体。

IPC (3件)：

H01B 1/06 ,  H01B 13/00 ,  H01M 10/36

FI (3件)：

H01B 1/06 A ,  H01B 13/00 Z ,  H01M 10/36 A

Fターム (9件)：

5G301CA02 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5G301CE01 ,  5H029AJ01 ,  5H029AJ14 ,  5H029AM11 ,  5H029CJ13 ,  5H029CJ28