特許

J-GLOBAL ID：200903031269318889

半導体装置およびその製造方法

発明者： 油谷 明栄
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-168132
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357781
出願日： 1999年06月15日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】 キャパシタの下部電極およびキャパシタ絶縁膜の膜質を向上させ、信頼性の高い半導体装置を得る。【解決手段】 キャパシタの下部電極13が、Pt、Ir、Rh、Ru、Pd、OsおよびAuの金属元素群から選ばれた2種以上の金属元素からなる合金と、少なくとも該合金に対し吸着能が高い元素とを含有した合金層を含むようにしたもである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された高/強誘電体膜からなるキャパシタ絶縁膜と、前記高/強誘電体膜上に形成された上部電極とからなるキャパシタを有する半導体装置であって、前記下部電極は、Pt、Ir、Rh、Ru、Pd、OsおよびAuの金属元素群から選ばれた2種以上の金属元素からなる合金と、少なくとも前記合金に対し吸着能が高い元素を含有した合金層とを備えてなる半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 371

Fターム (23件)：

5F001AA17 ,  5F001AD12 ,  5F001AG12 ,  5F001AG31 ,  5F083AD42 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083JA06 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA31 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR18 ,  5F083PR22 ,  5F083PR36