特許

J-GLOBAL ID：200903031269758897

ゲイト絶縁膜の処理方法およびゲイト絶縁膜の処理装 置

発明者： 山崎 舜平 ,  高山 徹 ,  小沼 利光 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-232412
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078695
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 劣化・経時変化の少ない薄膜トランジスタ(TFT)を得るためのゲイト絶縁膜を400〜700°C、好ましくは、450〜650°Cの低温で得る方法を提供する。【構成】 低温での熱酸化法あるいはCVD法もしくはPVD法によって結晶性珪素の活性層上に堆積した酸化珪素膜を触媒によって励起もしくは分解させた窒素酸化物(N2 O等)もしくは窒化水素(NH3 等)雰囲気において400〜700°Cの温度でアニールすることによって酸化膜中、特に珪素と酸化珪素の界面に多量に存在する珪素-水素結合(Si-H) を、珪素-窒素結合 (Si≡N)等に置き換えることによって、該酸化珪素膜をホットエレクトロン等に耐えられるだけの丈夫なものとし、これをゲイト絶縁膜として用いる。

請求項（抜粋）：

結晶性の島状珪素領域を覆って、熱酸化法あるいはCVD法もしくはPVD法によって形成された酸化珪素を主成分とするゲイト絶縁膜に対して、触媒によって励起もしくは分解せしめた窒素酸化物もしくは窒化水素を有する雰囲気において、400〜700°Cのアニール処理をすることを特徴とするゲイト絶縁膜の処理方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 29/78 617 S ,  H01L 29/78 617 V

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-288811   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-080925
  
• 特開平3-239900
  
• 特開昭61-247019