特許

J-GLOBAL ID：200903031274381602

半導体搭載用回路基板

発明者： 浜野 明弘
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
代理人 (1件)： 加古 宗男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-105266
公開番号（公開出願番号）：特開平11-298104
出願日： 1998年04月16日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 微細配線化が可能な半導体搭載用回路基板を安価に製造する。【解決手段】 金属基板12はAl-Si系、Al-Mg系、Al-Si-Mg系アルミニウム合金により形成し、この金属基板12の上下両面とスルーホール13の内周面にアルマイト処理により絶縁性の酸化被膜14(アルマイト被膜)を形成し、その上からフォトリソグラフィ法を使ってのメッキやエッチング、或はスパッタリング等のドライプロセスにより信号線15、パッド16,17,30、コンデンサ電極18、スルーホール導体19等の導体パターンを形成する。導体パターン形成前に酸化被膜14のうちのグランドパッド17を形成する部分をエッチングにより除去して、その除去部分に形成したグランドパッド17を金属基板12に導通させることで、金属基板12をグランド層として用いる。また、酸化被膜14の一部14aを誘電体層として用いて内蔵コンデンサ20を形成する。

請求項（抜粋）：

アルミニウムを主成分とする金属基板の片面又は両面を酸化処理して絶縁性の酸化被膜を形成し、この酸化被膜上に導体パターンを形成した半導体搭載用回路基板において、前記酸化被膜の一部を除去して、その除去部分に形成した前記導体パターンのグランド部を前記金属基板に導通させることで、該金属基板をグランド層として用いることを特徴とする半導体搭載用回路基板。

IPC (5件)：

H05K 1/05 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/16 ,  H05K 3/44 ,  H05K 3/46

FI (7件)：

H05K 1/05 Z ,  H05K 1/05 B ,  H05K 1/16 D ,  H05K 3/44 B ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 L ,  H01L 23/12 S