特許
J-GLOBAL ID:200903031277803001

薄膜磁気ヘツドの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-308408
公開番号(公開出願番号):特開平5-120633
出願日: 1991年10月28日
公開日(公表日): 1993年05月18日
要約:
【要約】【目的】 薄膜磁気ヘッドの製造方法において、コア層形成後に内部応力を発生させないで熱処理を施せるようにし、ヘッドの磁気特性を向上させる。【構成】 TiO2を主成分とした材料をアモルファス化させて絶縁層2〜7を形成させる。例えば、基板1側を200°C以下に強制冷却させて、TiO2を主成分とした材料を50Å/分以上で高速スパッタリング放出させて層形成させる。【効果】 絶縁層2〜7の高い耐熱性により、各コア8,9a,9b,10の形成後に磁気異方性を付与するための熱処理が可能になり、また、その材料が基板1等の材料の熱膨張率とほぼ同等であるため、熱処理時の応力発生に伴う磁気特性の劣化を防止できる。更に、均等な被覆による完全な絶縁や、ドライエッチングによる高精度高レートでの加工を実現する。
請求項(抜粋):
絶縁層にコアとコイルパターンを埋設した薄膜磁気ヘッドの製造方法において、TiO2を主成分とする材料をアモルファス化させて絶縁層を形成させることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。

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