不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-228573
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086439
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】フラッシュ型不揮発性半導体記憶装置の集積度を高める。【構成】一導電型半導体基板11中のソース領域13およびドレイン領域12に挟まれ、ソース領域13に接する所定の第1のチャネル領域上に、第1のゲート絶縁膜となる酸化シリコン膜14を設けた。第1のゲート絶縁膜14の上には消去ゲート電極15を配置し、ソース領域およびドレイン領域に挟まれ、ドレイン領域に接する所定の第2のチャネル領域上、および消去ゲート電極15上に第2のゲート絶縁膜および第1の層間絶縁膜となる酸化シリコン膜16を介して、フローティングゲート電極17を設けた。さらに、フローティングゲート電極17上に、第2の層間絶縁膜となる酸化シリコン膜19を介して、コントロールゲート電極20を配置した。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板中にソース領域およびドレイン領域が設けられ、前記ソース領域および前記ドレイン領域に挟まれ、前記ソース領域に接する所定のチャネル領域上に第1のゲート絶縁膜が形成されており、前記第1のゲート絶縁膜の上に消去ゲート電極を備え、前記ソース領域および前記ドレイン領域に挟まれ、前記ドレイン領域に接する所定の前記チャネル領域上、および前記消去ゲート電極上に、第2のゲート絶縁膜を介してフローティングゲート電極で形成されており、前記フローティングゲート電極上に絶縁膜を介してコントロールゲート電極を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

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