特許

J-GLOBAL ID：200903031280578485

MOS型半導体装置

発明者： 早野 仁紀
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-074693
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266257
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】特性を同じくする一対のMOSトランジスタのゲート電極の寸法変動が大きく、信頼性が低下する。【解決手段】容量電極1Aの面積が10000μm2 以上のMOS容量10の近傍(200μm以内)に一対のMOSトランジスタQ1A、Q1Bを形成する場合、これらMOSトランジスタのゲート電極2A,2Bと容量電極1A端部間の距離d1 ,d2 を実質的に等しくする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された特性を同じくする一対のMOSトランジスタと、これらのMOSトランジスタの近傍に設けられた容量電極の面積が10000μm2 以上のMOS容量とを有し、前記MOSトランジスタのゲート電極と前記容量電極とが同層でかつ同一材料から形成されているMOS型半導体装置において、前記一対のMOSトランジスタの前記ゲート電極は前記容量電極の端部から実質的に等距離に配置されていることを特徴とするMOS型半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/06 102 A ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/78 301 G