特許

J-GLOBAL ID：200903031282453655

ガスセンサの電極構造及びその製造方法

発明者： 福田 幸弘 ,  五島 伸洋 ,  土田 敬之
出願人/特許権者： 東陶機器株式会社
代理人 (1件)： 下田 容一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-343258
公開番号（公開出願番号）：特開平6-167472
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】 感応膜用電極又は感温膜用電極と加熱用抵抗体との間の位置合わせを工程を省略し、素子全体を微小化し、また消費電力を低減する。【構成】 ガラス製絶縁基板1上にW製の加熱用抵抗体2を形成し、この上にSiO2製絶縁体3、W製感応膜用電極形成材料、仮被膜の順に三層の被膜を形成する。次にエッチングによって仮被膜の全て及び感応膜用電極形成材料のうち加熱用抵抗体2の上面に掛かる部分を除去すると、加熱抵抗体2と感応部電極4a、4bとの位置関係が自動的に決まる。さらにこの上に感応膜5を形成してガスセンサの電極構造とする。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に加熱用抵抗体、金属酸化物半導体感応膜及び感応膜用電極を形成し、この半導体感応膜に対するガスの吸脱着による抵抗値の変化を利用するガスセンサ電極構造において、前記加熱用抵抗体と、前記感応膜用電極とを、厚さ方向において少なくとも両者の一部が重なるように絶縁体を介して配置したことを特徴とするガスセンサ電極構造。