特許
J-GLOBAL ID：200903031283035733
固体画像センサー用低容量浮遊拡散構造及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-009858
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263662
出願日： 1995年01月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 ベースライン画像センサー組み立てプロセスを変更せず又は段階を付加せずに作成され;浮遊拡散と電極との間の相互接続に関係する寄生容量は減少し、浮遊拡散の容量は減少する固体画像センサーの低容量浮遊拡散構造を提供する。【構成】 (a) 所定の導電型の基板上にゲート酸化物を成長させ;(b)該ゲート酸化物上の該出力増幅器に対して該ゲート電極を形成し、それを貫通する開口を作成するために該ゲート電極をパターン化し;(c) 該基板内に浮遊拡散領域を形成するよう該所与の導電型と反対の導電型のドーパントを該開口を介して導入し;(d) 該浮遊拡散領域と該ゲート電極との間のオーミック接触を形成する各段階からなりゲート電極を設けられた出力増幅器を有する固体画像センサー内の電荷を電圧に変換するのに用いられる低容量浮遊拡散構造を製造する方法。
請求項（抜粋）：
ゲート電極を設けられた出力増幅器を有する固体画像センサーの低容量浮遊拡散構造を製造する方法であって、(a) 所定の導電型の基板上にゲート酸化物を成長させ;(b) 該ゲート酸化物上の該出力増幅器に対して該ゲート電極を形成し、それを貫通する開口を作成するために該ゲート電極をパターン化し;(c) 該基板内に浮遊拡散領域を形成するよう該所定の導電型と反対の導電型のドーパントを該開口を介して導入し;(d) 該浮遊拡散領域と該ゲート電極との間のオーミック接触を形成する各段階からなる製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/762
, H01L 21/339
