特許

J-GLOBAL ID：200903031288727692

半導体装置の製造方法

発明者： 福所 孝 ,  杉本 大
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-192132
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037163
出願日： 1994年07月23日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 水素吸蔵性を有する金属をバリアメタル6として用いた半導体装置の製造方法において、バリアメタル6により水素が吸蔵されて半導体基板1の界面準位の消去が不充分になることを防止し、もって特性の向上、特性の安定性の向上を図る。【構成】 シンターを、760Torr(≒0.10MPa)以下の圧力下で行う。

請求項（抜粋）：

水素吸蔵性を有する金属をバリアメタルとして用いた半導体装置の製造方法において、上記バリアメタルに対するシンターを、760Torr以下の圧力下で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 C