特許

J-GLOBAL ID：200903031294894177

低ノイズ増幅回路

発明者： タイ、エム.グエン
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140783
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244266
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 低ゲイン又は減衰モードにおいて高周波応答にピークが現れないようにする。【解決手段】 低ノイズ増幅回路は複数のゲインパスを備えており、高ゲイン(およそ15dB)と低ゲイン又は減衰(およそ-5dB)の2つのゲインモードで動作可能である。低ゲイン又は減衰パスにおいては、ダイオード接続されたトランジスタと、このトランジスタに直列的に接続されたフィルターとして動作するキャパシタとを追加することにより、周波数応答が改善される。これは、高周波応答のピークにおけるポール(特性点)(p=-1/RLCT)を効果的に抑える。

請求項（抜粋）：

信号入力部と、信号出力部と、ゲインコントロール入力部と、並列的に設けられた複数のゲインパスであって、前記信号入力部と前記信号出力部と前記ゲインコントロール入力部にそれぞれが接続されたゲインパスと、前記複数のゲインパスの1つを選択し、前記信号入力部を前記信号出力部へ接続するための選択手段と、前記信号入力部と前記信号出力部の間に設けられ、前記信号入力部に入力された入力信号を増幅するための増幅手段と、前記複数のゲインパスの少なくとも1つを通る前記入力信号をフィルタリングするためのフィルタリング手段と、を備えることを特徴とする低ノイズ増幅回路。

Fターム (8件)：

5J100AA04 ,  5J100BC08 ,  5J100CA01 ,  5J100CA07 ,  5J100CA12 ,  5J100CA31 ,  5J100DA06 ,  5J100EA02