特許
J-GLOBAL ID:200903031304853644

結晶シリコンからなる太陽電池の金属化方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-510051
公開番号(公開出願番号):特表平9-503345
出願日: 1994年09月22日
公開日(公表日): 1997年03月31日
要約:
【要約】微細な厚膜導体路構造体が、金属の光誘導される無電流の析出によって十分に補強される、厚膜方法を基礎とする組み合わされた前面金属化及び裏面金属化が提案されている。この簡易化された方法によって、良好に付着する改善された導体路構造体を前面金属化のために得ることができる。
請求項(抜粋):
結晶シリコンからなる太陽電池を金属化する方法において、 a)太陽電池体(1)の前面に隣接してn-ドーピングされた平らな領域(3)を有する結晶シリコンからなる太陽電池体(1)を用意し、 b)誘電体(4)を前面上に形成し、 c)裏面金属化(5)を、有機バインダー、ガラスマトリックス及び導電性粒子を含有する導電性ペーストの施与及び焼付によって得、 d)バス構造体(6、10)を前面金属化のために厚膜技術で施与し、 e)銀又は銅から選択された金属(7、11、12)を、犠牲電極としての裏面への焼き付けられた導電性ペースト(5)の使用下で、前面上に、厚膜構造体(6、10)を被覆する形で、光誘導により無電流で析出する、 処理段階を含むことを特徴とする、結晶シリコンからなる太陽電池の金属化の方法。
IPC (2件):
H01L 31/04 ,  H01L 21/288
FI (2件):
H01L 31/04 H ,  H01L 21/288 M
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭59-084477
  • 特開平3-145166
  • 特開昭55-118680
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