新規コポリマー、ホトレジスト組成物、および高アスペクト比のレジストパターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-214451
公開番号（公開出願番号）：特開2002-030118
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】 DUV領域の光源を用いるホトリソグラフィー分野において、透過性に優れ、高感度、高解像性を有する新規コポリマー、ホトレジスト組成物およびシリル化剤を用いた高アスペクト比のレジストパターンを形成する方法の提供。【解決手段】不飽和カルボン酸無水物から導かれる繰り返し単位(B)、例えば下記一般式(II)で表される繰り返し単位(C)および下記一般式(III)で表される繰り返し単位(D)を含有する新規コポリマー。【化1】

請求項（抜粋）：

不飽和カルボン酸無水物から導かれる繰り返し単位(B)、下記一般式(II)で表される繰り返し単位(C)、および下記一般式(III)で表される繰り返し単位(D)を含有することを特徴とする新規コポリマー。【化1】(式中、R1は、水素原子、またはメチル基を表し、R2は、炭素原子数1〜4のアルキル基を表す)

IPC (10件)：

C08F222/06 , C08F220/18 , C08F230/08 , C08K 5/41 , C08L 35/00 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 511 , G03F 7/40 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027

FI (12件)：

C08F222/06 , C08F220/18 , C08F230/08 , C08K 5/41 , C08L 35/00 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 511 , G03F 7/40 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 570 , H01L 21/30 573

Fターム (46件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF02 , 2H025BF30 , 2H025BG00 , 2H025BJ04 , 2H025CB43 , 2H025CC03 , 2H025DA11 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096EA03 , 2H096EA04 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA01 , 2H096HA05 , 2H096HA24 , 4J002BH021 , 4J002CP141 , 4J002EV296 , 4J002FD206 , 4J002GP03 , 4J100AK31P , 4J100AK32P , 4J100AL08R , 4J100AP16Q , 4J100BA72Q , 4J100BC09R , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100JA38 , 5F046LA18 , 5F046NA01 , 5F046NA17 , 5F046NA18

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