半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：煤孫耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-203654
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045694
出願日： 1993年07月26日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【構成】半導体基板の一主表面に絶縁分離溝を形成する工程と、前記絶縁分離溝を埋め込むに充分な厚さの第一の絶縁膜を半導体基板全面に成長させる工程と、前記第一の絶縁膜を前記絶縁分離溝内だけに残して半導体素子形成領域上ではエッチングする工程と、第二の絶縁膜を半導体基板全面に成長させる工程と、前記第二の絶縁膜の、半導体素子形成領域の部分に不純物を導入する工程と、前記第二の絶縁膜を半導体素子形成領域が露出するまでエッチングする工程とを含むものである。【効果】半導体素子の絶縁分離溝内部に埋め込まれたボロンリンガラス膜の表面と素子形成領域表面との段差を軽減しボロンリンガラス膜からのボロンのアウトディフュージョンを防止するためのシリコン酸化膜を、選択的に絶縁分離溝上部にだけ形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主表面に形成された絶縁分離溝と、半導体基板全面に成長させた前記絶縁分離溝を埋め込むに充分な厚さであり、かつ、前記絶縁分離溝内だけに残して半導体素子形成領域上でエッチングした第一の絶縁膜と、半導体基板全面に成長させ、半導体素子形成領域の部分に不純物を導入し、かつ、半導体素子形成領域が露出するまでエッチングした第二の絶縁膜とを含むことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭59-182538
特開昭59-182537
特開昭62-040741

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