半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-221975
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063295
出願日： 1991年09月03日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】光学損傷が起きるレベルを大幅に高めることにより、安定した高出力発振を可能にし、均一な特性の半導体レーザ装置を歩留り良く提供する点。【構成】活性層の最大利得波長よりも長い波長で発振するように予め回析格子の周期を設定してから、p型光導波路層に回析格子を重ねて形成後、クラッド層を形成する。この結果、発振レーザ光は、活性層中で透明になり、反射面での光学損傷を起さずに高出力発振ができる。更に、特定の波長だけが発振するので、単一モードレーザが実現できる。

請求項（抜粋）：

第1導電型基板と,この第1導電型基板に順次堆積する第1導電型のクラッド層、活性層及び第2導電型光導波路層と,この第2導電型光導波路層に積層して形成する異なる結晶で構成する第2導電型クラッド層と,この第2導電型クラッド層と第2導電型光導波路層の界面に形成する回析格子を具備し,発振レーザの波長が前記活性層の組成に相当する波長より長くかつ、活性層中で透明になることを特徴とする半導体レーザ装置

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-246292
特開平3-016288
特開平3-195077

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