エツチング方法及びその装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-212491
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055185
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【構成】本発明は、被エッチング体を冷却しながら大気中においてドライエッチングするようにしたものである。【効果】このような本発明は、プラズマエッチング装置の場合のように真空系を必要としないので、装置が大型化せず、装置価格も安くなり、かつ、保守も容易になる。また、半導体基板の枚葉処理が可能となる。さらに、プラズマを利用するものではないので、半導体基板が損傷を受けることがなく、歩留り向上に役立つ。また、エッチングマスクとして用いられるレジストが変質しないので、後処理にて剥離しにくなるようなことがない。

請求項（抜粋）：

パターンが形成されたレジスト膜が被着されてなる被エッチング体をエッチングするエッチング方法において、酸素にハロゲン化合物系のガスを混合してなる混合ガスを常圧下にて放電励起させ励起混合ガスを生成する第1工程と、被エッチング体を冷却するとともに上記第1工程にて生成された励起混合ガスを上記被エッチング体に吹き付けこの被エッチング体をエッチングする第2工程とを具備し、少なくとも上記レジスト膜を上記励起混合ガスによりエッチングされない温度以下にまで冷却することを特徴とするエッチング方法。

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