特許

J-GLOBAL ID：200903031316109517

化合物半導体単結晶の製造方法及びZnTe単結晶

発明者： 朝日 聰明 ,  佐藤 賢次
出願人/特許権者： 日鉱金属株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-056972
公開番号（公開出願番号）：特開2007-223815
出願日： 2004年03月02日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

【課題】 (110)方位の化合物半導体単結晶を優れた結晶品質で成長できる化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 有底円筒形の第1ルツボと、該第1ルツボの内側に配置され前記第1ルツボとの連通孔を設けた第2ルツボとから構成された原料融液収容部に半導体原料と封止剤を収容し、前記原料収容部を加熱して原料を溶融させ、前記封止剤に覆われた状態で該原料融液表面に種結晶を接触させて、該種結晶を引き上げながら結晶成長させる液体封止チョクラルスキー法による化合物半導体単結晶の製造方法であって、前記第2ルツボとして複数の連通孔を有するルツボを用いて、<110>方向に種結晶を引き上げながら結晶成長させるようにした。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

有底円筒形の第1ルツボと、該第1ルツボの内側に配置され前記第1ルツボとの連通孔を設けた第2ルツボとから構成された原料融液収容部に半導体原料と封止剤を収容し、前記原料収容部を加熱して原料を溶融させ、前記封止剤に覆われた状態で該原料融液表面に種結晶を接触させて、該種結晶を引き上げながら結晶成長させる液体封止チョクラルスキー法による化合物半導体単結晶の製造方法であって、 前記第2ルツボとして複数の連通孔を有するルツボを用いて、<110>方向に種結晶を引き上げながら結晶成長させることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。

IPC (1件)：

C30B 15/12

FI (1件)：

C30B15/12

Fターム (4件)：

4G077BE26 ,  4G077EG01 ,  4G077HA02 ,  4G077MA01

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭61- 26590号公報
  
• 特開昭63-195188号公報
  
• 特開昭62-288193号公報
  
• 特開昭60- 27693号公報