高周波半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-208882
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061759
出願日： 1992年08月05日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】幅広の電界効果トランジスタの中央部と両端部に供給されるマイクロ波電力の位相を揃える。【構成】金属製容器50内に電界効果トランジスタ52が設けられている。このトランジスタ52では、複数のゲートパッドが一方の端部から他方の端部に向かって一列に配列されている。一対の短辺とこれらと直角な一対の長辺とを有する矩形状部76を整合回路74が有し、この矩形状部76の一方の長辺がトランジスタ52の上記各パッドの配列位置の近傍において一方の端部から他方の端部にまで位置し、これら矩形状部76に上記各パッドがそれぞれ金ワイヤー80を介して接続されている。この整合回路74では、矩形状部76の長辺の中央部付近からマイクロ波信号が入力される。矩形状部74の両端部の近傍に、その短辺方向にほぼ平行にスリット100 、102 を有している。

請求項（抜粋）：

金属製容器と、この容器内に設けられており、複数の入力または出力パッドが一方の端部から他方の端部に向かって一列に配列されている高周波用電界効果トランジスタと、一対の短辺とこれらと直角な一対の長辺とを有する矩形状部を有し、この矩形状部の一方の長辺が上記トランジスタの上記各パッドの配列位置の近傍において上記一方の端部から他方の端部にまで位置し、これら矩形状部に上記各パッドがそれぞれ接続され、上記長辺の中央部付近から信号の入出力が行われる整合回路とを、具備し、この整合回路は、上記矩形状部の両端部の近傍において、その短辺方向にほぼ平行なスリットを有している高周波半導体装置。

IPC (3件)：

H03F 3/60 , H01P 5/02 , H01P 5/08

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-266701
特開平3-066205
特開平3-066203

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