特許
J-GLOBAL ID:200903031328364784

分子線源,分子線結晶成長装置,分子線結晶成長方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 野河 信太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-306842
公開番号(公開出願番号):特開2008-120632
出願日: 2006年11月13日
公開日(公表日): 2008年05月29日
要約:
【課題】ポートの数を増やすことなく,還元性ガスを分子線結晶成長装置の成長室内に導入することを可能にする分子線源を提供する。【解決手段】本発明の分子線源は,結晶成長のための分子線を放出する分子線放出部と,前記分子線放出部に結合され,前記分子線を加熱して分解するクラッキングゾーンとを備え,前記分子線放出部と前記クラッキングゾーンの間に還元性ガスを導入するための還元性ガス導入部を有することを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
結晶成長のための分子線を放出する分子線放出部と,前記分子線放出部に結合され,前記分子線を加熱して分解するクラッキングゾーンとを備え, 前記分子線放出部と前記クラッキングゾーンの間に還元性ガスを導入するための還元性ガス導入部を有することを特徴とする分子線源。
IPC (3件):
C30B 23/08 ,  H01L 21/203 ,  C23C 14/24
FI (3件):
C30B23/08 M ,  H01L21/203 M ,  C23C14/24 A
Fターム (34件):
4G077AA03 ,  4G077BE31 ,  4G077BE41 ,  4G077DA07 ,  4G077EG22 ,  4G077EG25 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077SC02 ,  4G077SC12 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA41 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029DB02 ,  4K029DB03 ,  4K029DB11 ,  4K029EA03 ,  5F103AA04 ,  5F103BB05 ,  5F103BB06 ,  5F103BB07 ,  5F103BB08 ,  5F103BB25 ,  5F103DD03 ,  5F103DD04 ,  5F103DD05 ,  5F103DD06 ,  5F103DD07 ,  5F103DD08 ,  5F103DD11 ,  5F103DD13 ,  5F103GG01
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 特開平1-301584号公報
  • 特開昭62-60870号公報

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