特許

J-GLOBAL ID：200903031331620139

耐熱金属でキャップした低抵抗率の導体構造およびその形成方法

発明者： ラジブ・ヴィー・ジョシ ,  ジェローム・ジェイ・クオモ ,  ホルマズドヤール・エム・ダラール ,  ルイ・エル・シュー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-028812
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343532
出願日： 1993年02月18日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 物理的蒸着(PVD)による低抵抗率金属の付着と化学的蒸着(CVD)による耐熱金属の付着を組み合わせて使用して、基板内のシームまたはホールを充填する低コストの方法を提供すること。【構成】 低抵抗率金属または合金(16)を物理蒸着(たとえば、蒸発またはコリメート・スパッタリング)し、次に耐熱金属(17)を化学蒸着(CVD)して、さらに平面化を行うと、優れた導線およびバイアが形成される。コリメート・スパッタリングにより、誘電体の開口部中に、銅をベースとするメタライゼーションおよびCVDタングステン拡散障壁として適した耐熱金属ライナが形成できる。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に位置する誘電層と、前記誘電層の表面と同一平面にある表面から前記基板に向かって延び、前記誘電層の開口部中に位置するメタライゼーションとを備え、前記メタライゼーションが、耐熱金属または合金でカプセル封じされた低抵抗率の金属または合金から成り、前記低抵抗率金属または合金が、前記誘電層の前記表面と同一平面にある前記メタライゼーションの前記表面に向かって相互に内側に向かって傾斜した側壁を有することを特徴とする、デバイス。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-121835
  
• 特開昭60-117719
  
• 特開昭58-021844
  
• 特開平3-123021