成膜装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石島茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-258290
公開番号（公開出願番号）：特開2000-087224
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】【課題】蒸着重合法を用いて、モノマーの組成分布が均一で、かつ、均一な膜厚分布の低比誘電率の層間絶縁膜を形成しうる成膜装置を提供する。【解決手段】本発明の成膜装置1は、少なくとも一つの蒸着重合用の第1の処理室4を有する。第1の処理室4は、蒸着重合用の原料モノマーA、Bの気体を混合するための混合槽4aと、基板8に対して成膜処理を行うための処理槽4bとから構成され、基板8の上方から原料モノマーA、Bの蒸気を基板8上に供給するようになっている。混合槽4aと処理槽4bとの間には、所定の形状の吹き出し口490を有するモノマー吹き付け部材49が設けられている。混合槽4aとモノマー吹き付け部材49は、少なくとも基板8より高い温度に温度制御される。

請求項（抜粋）：

基体に対して成膜処理を行うための複数の処理室を有する成膜装置であって、上記複数の処理室のうちの少なくとも一つが蒸着重合用の処理室であり、該蒸着重合用の処理室に、蒸着重合の原料モノマーの気体を混合するモノマー混合部が設けられていることを特徴とする成膜装置。

IPC (4件)：

C23C 14/24 , C08G 85/00 , C23C 14/56 , C08G 73/10

FI (4件)：

C23C 14/24 M , C08G 85/00 , C23C 14/56 F , C08G 73/10

Fターム (45件)：

4J031CA06 , 4J031CA20 , 4J031CA47 , 4J031CE06 , 4J031CE10 , 4J031CF07 , 4J031CG02 , 4J043PA02 , 4J043PA19 , 4J043QB15 , 4J043QB26 , 4J043QB31 , 4J043RA35 , 4J043SA06 , 4J043SB01 , 4J043TA22 , 4J043TB01 , 4J043UA122 , 4J043UA131 , 4J043UA662 , 4J043UA672 , 4J043UB121 , 4J043VA021 , 4J043VA041 , 4J043XA02 , 4J043XA03 , 4J043XA07 , 4J043XA40 , 4J043YA06 , 4J043ZB11 , 4K029AA06 , 4K029BA03 , 4K029BA62 , 4K029BB02 , 4K029BC05 , 4K029BD01 , 4K029BD02 , 4K029CA02 , 4K029CA05 , 4K029CA11 , 4K029DA01 , 4K029DA04 , 4K029DA05 , 4K029DA08 , 4K029JA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平4-341559
特開平4-304372

審査官引用 (2件)

特開平4-341559
特開平4-304372

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