特許
J-GLOBAL ID：200903031336027983
高周波増幅回路を有する半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-141627
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335947
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 高周波増幅回路の高周波特性を劣化せず、高周波増幅回路のサージ耐量を上げた高周波増幅回路を有する半導体集積回路装置を得ること。【解決手段】 高周波増幅トランジスタ5のゲートに、バイアス回路31から適切なゲートバイアス電圧と、入力端子7から入力信号を与えて、出力信号をドレイン側に設けた出力端子8から取り出す構成の高周波増幅回路を有する半導体集積回路装置において、上記高周波増幅トランジスタのゲートとGND間にサージ保護回路32aとしてスイッチングトランジスタ6と、この高周波増幅回路の電源とGND間に順方向の複数個のダイオード13〜17と抵抗素子26の直列回路とを設け、上記出力端子に印加されたサージ電圧を検知して上記スイッチングトランジスタをオン状態とし、上記高周波増幅トランジスタをオフ状態とするゲート電圧を与えるよう構成したサージ保護回路を備えたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
高周波増幅トランジスタのゲートに、バイアス回路から適切なゲートバイアス電圧と、入力端子から入力信号を与えて、出力信号をドレイン側に設けた出力端子から取り出す構成の高周波増幅回路を有する半導体集積回路装置において、上記高周波増幅トランジスタのゲートとGND間にサージ保護回路としてスイッチングトランジスタと、この高周波増幅回路の電源とGND間に順方向の複数個のダイオードと抵抗素子の直列回路とを設け、上記出力端子に印加されたサージ電圧を検知して上記スイッチングトランジスタをオン状態とし、上記高周波増幅トランジスタをオフ状態とするゲート電圧を与えるよう構成したサージ保護回路を備えたことを特徴とする高周波増幅回路を有する半導体集積回路装置。
IPC (4件)：
H03F 1/52
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/06
H03F 1/52 B
, H01L 27/04 H
, H01L 27/06 311 A
