特許
J-GLOBAL ID:200903031339240165
有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小倉 亘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-171945
公開番号(公開出願番号):特開2001-351782
出願日: 2000年06月08日
公開日(公表日): 2001年12月21日
要約:
【要約】【目的】 フォトレジストをベークして絶縁膜7を形成することにより、安価で解像度の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を得る。【構成】 透明基板1の上に複数のストライプ状透明電極2,格子状の絶縁膜7,絶縁膜7で仕切られた凹部に設けられる有機発光層4,透明電極2に直交する複数のストライプ状背面電極5が順次積層されている。絶縁膜7は、ポジ型ノボラック系,ネガ型環化ゴム系又は化学増幅型レジストでできた格子状パターンのフォトレジスト膜をベークすることにより形成される。フォトレジストには、黒色の顔料又は染料を添加してもよい。
請求項(抜粋):
透明基板の上に透明電極,絶縁膜,絶縁膜で仕切られた凹部に設けられる有機発光層,背面電極が順次積層されており、前記絶縁膜はフォトレジスト膜をベークしたものであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (3件):
H05B 33/12
, H05B 33/10
, H05B 33/14
FI (3件):
H05B 33/12 Z
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
Fターム (10件):
3K007AB17
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EA00
, 3K007EB00
, 3K007FA01
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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