特許

J-GLOBAL ID：200903031343937995

半導体レーザ素子およびその作製方法

発明者： 石住 ▲隆▼司 ,  竹川 浩 ,  森本 泰司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-086943
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291696
出願日： 1992年04月08日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザ素子を低コストで、放射特性良く、しかもダイボンド位置精度が良い状態に作製する。【構成】 ヒートシンク2の搭載面2aに、上面20aが半導体レーザチップ1の下面と同一か又は少し小さい寸法の平坦面をなす突起部20を設ける。この突起部20の上面20aに低融点鑞材(In)3を塗布する。この上に、半導体レーザチップ1を載置した状態で、加熱溶融および冷却を行って半導体レーザチップ1を突起部20に取り付ける。

請求項（抜粋）：

半導体レーザチップをヒートシンク上に搭載してなる半導体レーザ素子であって、上記ヒートシンクの搭載面に、上面が上記半導体レーザチップ下面と同一寸法か又は少し小さい平坦面をなす突起部が設けられ、上記半導体レーザチップは鑞材を介して上記突起部の上面に取り付けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/043

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-291155
  
• 特開平4-030588
  
• 特開昭57-191169