特許
J-GLOBAL ID：200903031344883090
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-341001
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175546
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 発光部である半導体接合部全体に電流を広がらせて、発光効率の向上した半導体発光素子を提供する。【構成】 半導体基板1上に導電型の異なる少なくとも二層の半導体層2〜6を島状に形成して、この半導体層2〜6上から半導体基板1上にかけて絶縁膜7を形成するとともに、この半導体層2〜6上と半導体基板1上との前記絶縁膜7に小孔7a、7bを設け、この小孔7a、7bを電極8、9の接続部とした。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に導電型の異なる少なくとも二層の半導体層を島状に形成して、この半導体層上から半導体基板上にかけて絶縁膜を形成するとともに、この半導体層上と半導体基板上との前記絶縁膜に小孔を設け、この小孔を電極との接続部とした半導体発光素子。
引用特許：
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