特許
J-GLOBAL ID：200903031350907317
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-204188
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050970
出願日： 1995年08月10日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】【課題】 プレ・アモルファス化層の深さを浅くした状態で、ドーパントのドーズ量が多い状態でも、ドーパントの熱拡散を抑制し、しかも接合リークが少ない浅い接合を有する半導体装置を製造すること。【解決手段】 ドーパントイオン注入の前工程として、IV族,III族およびV族原子をAとし、VII族原子をBとした場合の分子式がABxの形の分子イオンをプレ・アモルファス化注入する。前記プレ・アモルファス化イオン注入工程においては、ドーパントイオン注入時において予測されるドーパント濃度のピーク深さに対し、当該注入原子AおよびBの濃度のピーク深さが同程度から2倍程度となるように注入エネルギを設定して行うことが好ましい。具体的には、SiFを用い、注入ドーズ量を1×1014から1×1016Ions/cm2の範囲に設定し、25KeV 程度が好ましい。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造方法において、ドーパントイオン注入の前工程として、IV族,III族およびV族原子をAとし、VII族原子をBとした場合の分子式がABxの形の分子イオンをプレ・アモルファス化注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/265 Q
, H01L 21/265 Z
, H01L 29/78 301 P
