特許
J-GLOBAL ID：200903031352242681
ウエハー伸縮量のシミュレーション方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-075215
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270299
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 ウエハー上への成膜工程により生じる応力(真性応力)を考慮し、なおかつデータの記憶量を低減し、計算時間の短縮を行ったウエハー伸縮のシミュレーション方法を提供する。【解決手段】 まず室温のシリコンウエハーが成膜温度へ昇温した場合の弾性熱応力シミュレーションを行い、得られた変位を保留しておく。次に薄膜がついたシリコンウエハーが成膜温度から室温に降温させたときの弾性熱応力シミュレーションを行い、得られた変位を保留する。ここで薄膜には成膜時の真性応力として膜均一に熱ひずみを与えておく。最後に各工程の変位を足し合わせることによって成膜によるウエハー伸縮の変位を得る。
請求項（抜粋）：
ウエハー上に薄膜を成膜した時に生ずる前記ウエハーの伸縮量を予測するウェハー伸縮量のシミュレーション方法において、前記ウエハーの温度を室温から前記薄膜の成膜温度まで上昇した場合に生じる第1の変位を熱応力解析により計算する工程と前記薄膜を成膜後、前記ウエハーの温度を室温まで降下した場合に生じる第2の変位を熱応力解析により計算する工程と、前記第1の変位と前記第2の変位を足し合わせる工程とを有することを特徴とするウエハー伸縮量のシミュレーション方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 21/00
, H01L 21/318
H01L 21/02 Z
, H01L 21/00
, H01L 21/318 Z
