特許

J-GLOBAL ID：200903031354627661

微量元素の濃度分布の測定方法

発明者： 片岡 祐治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-285783
公開番号（公開出願番号）：特開平6-138061
出願日： 1992年10月23日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体材料、金属材料、セラミックス材料、および有機材料中に含まれる微量不純物の深さ方向および面方向の高感度分析、高分解能分析を行い、材料の機能性評価に寄与することを目的とする。【構成】 本発明は、例えば固体表面に、アルカリ金属元素を含むイオンをイオンビームとして照射し、スパッタリング現象により固体表面から放出される粒子のうち、照射アルカリ金属イオン、検出目的元素および母材元素からなる三原子複合イオンを質量分離によって検出し、三原子複合イオンの強度分布を二次元像として表示することにより面方向の濃度分布を測定するか、又はスパッタ時間と共に三原子複合イオンの強度を表示することにより深さ方向の濃度分布を測定するように構成する。

請求項（抜粋）：

固体中に存在する微量元素の面方向および/又は深さ方向の濃度分析の測定方法であって、固体表面に、アルカリ金属元素を含むイオンをイオンビームとして照射し、スパッタリング現象により固体表面から放出される粒子のうち、照射アルカリ金属イオン、検出目的元素および母材元素からなる三原子複合イオンを質量分離によって検出し、三原子複合イオンの強度分布を二次元像として表示することにより面方向の濃度分布を測定するか、又はスパッタ時間と共に三原子複合イオンの強度を表示することにより深さ方向の濃度分布を測定することを特徴とする、前記測定方法。