特許
J-GLOBAL ID：200903031354774060
上面出射型半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-218239
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045648
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 不純物拡散やイオン注入を行なうことなく、MBE1回成長のみで内部電流狭窄構造の上面出射型半導体発光素子を製作可能にする。【構成】 (100)面方位のp型GaAs基板7上に四角錐状の窪み9を形成し、窪み9内に(111)A面方位の斜面10を露出させる。この上にMBE法により、SiドープAlGaAs電流狭窄層6、BeドープAlGaAsクラッド層5、GaAs活性層4、SiドープAlGaAsクラッド層3およびSnドープGaAsコンタクト層2を連続的に成長させる。Siは(100)面上ではn型、(111)A面上ではp型として働くため、電流狭窄層6の両側の平坦部13で逆バイアス電流阻止層となり、電流は斜面12に狭窄される。クラッド層3では、電流は斜面15の中央の平坦部14に狭窄される。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の基板上に凹状または凸状の錐状部分を形成し、前記錐状部分の斜面においては少なくとも一部が第1の導電型となり、錐状部分の斜面以外では第2の導電型となるように、上記錐状部分が形成された基板より上に面方位によって導電型が異なる第1の電流狭窄層を形成し、前記第1の電流狭窄層より上に活性層を形成し、前記活性層より上に電極を形成し、前記電極の、前記錐状部分にほぼ対向する領域に、光出射窓が形成されていることを特徴とする上面出射型半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, B41J 2/44
, G06K 7/10
