特許

J-GLOBAL ID：200903031356237135

サファイア基板およびその製造方法

発明者： 柿本 実行
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-171839
公開番号（公開出願番号）：特開2006-347776
出願日： 2005年06月13日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：

【課題】 エピタキシャル成長前,エピタキシャル成長中およびエピタキシャル成長後に基板間の反りのバラツキが無く、かつエピタキシャル成長後に目的の反りを有する窒化物半導体膜付きサファイア基板を得ることを可能とするサファイア基板の提供を目的とする。【解決手段】 直径3インチ以上のサファイア基板であって、主面(育成面を主面とし、反対側の面を裏面とする。)と裏面とに歪みが無く、かつ、エピタキシャル成長後に窒化物半導体膜を有するサファイア基板の反り量が所望の反り量となるように、主面が、凹度が8〜50μmの範囲内で凹形状に反っていることを特徴とする基板である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

直径3インチ以上のサファイア基板であって、主面と裏面とに歪みが無く、かつ、エピタキシャル成長後に窒化物半導体膜を有するサファイア基板の反り量が所望の反り量となるように、主面が、凹度が8〜50μmの範囲内で凹形状に反っていることを特徴とするサファイア基板。

IPC (4件)：

C30B 29/20 ,  C30B 29/38 ,  C30B 33/00 ,  C30B 33/02

FI (4件)：

C30B29/20 ,  C30B29/38 D ,  C30B33/00 ,  C30B33/02

Fターム (11件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BB01 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077HA12 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭57-095899号公報
  
• 単結晶サファイア基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-338846   出願人：京セラ株式会社