特許
J-GLOBAL ID：200903031357518634
プラズマを用いた基体処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-237048
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094478
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】 被処理基体3が収納される真空容器1と、高周波電圧が印加され、真空容器1の内部に電磁波を放出する一対のアンテナ電極10a、10bと、前記電磁波によりプラズマを生起するガスを真空容器1内に導入するガス導入部6と、真空容器1内に磁界を発生せしめる磁界発生手段13a、13bと、被処理基体3の表面が前記電磁波、前記磁界、及び前記プラズマの相互作用により形成されるヘリコン波の波長方向に沿うように被処理基体3を載置する基体載置部2aと、真空容器1内のガスを排気するガス排気部7とが具備されてなるプラズマを用いた基体処理装置。【効果】 高密度のプラズマを効率良く発生せしめることができ、半導体装置の製造における歩留まりを改善することができる。
請求項（抜粋）：
被処理基体が収納される真空容器と、高周波電圧が印加され、前記真空容器の内部に電磁波を放出する一対のアンテナ電極と、前記電磁波によりプラズマを生起するガスを前記真空容器内に導入するガス導入部と、前記真空容器内に磁界を発生せしめる磁界発生手段と、前記被処理基体の表面が前記電磁波、前記磁界、及び前記プラズマの相互作用により形成されるヘリコン波の波長方向に沿うように該被処理基体を載置する基体載置部と、前記真空容器内のガスを排気するガス排気部とが具備されてなることを特徴とするプラズマを用いた基体処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
