半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-012726
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214684
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】所望の動作速度を有するMOSトランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 p型ウェル7にn型拡散配線層8が形成されている。そのn型拡散配線層8上に、ソース領域としてのn+ 型選択シリコンエピタキシャル成長層12、チャネル領域としてのp- 型選択シリコンエピタキシャル成長層13およびドレイン領域としてのn+ 型選択シリコンエピタキシャル成長層23が積層されている。そのp- 型選択シリコンエピタキシャル成長層13の側面にのみゲート絶縁膜18を介してゲート電極19が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面上に形成された第1導電型の第1不純物層と、前記第1不純物層上に積層された第2導電型の第2不純物層と、前記第2不純物層上に積層された第1導電型の第3不純物層と、前記第2不純物層の側面上にのみ絶縁層を介在させて形成された導電層とを備えた、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 29/78 653 B , H01L 27/08 321 G , H01L 29/78 301 X

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-063095 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-046066 出願人：株式会社リコー

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