半導体レ-ザ素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-194456
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045988
出願日： 1995年07月31日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 Nitride材料において、導波路共振構造を形成するとともに、外部共振器構造を設けることにより、青紫色波長領域において縦単一モ-ドに制御された低閾値動作の半導体レ-ザを実現させる。【解決手段】 (0001)C面サファイア基板上にGaN材料からなる層3まで結晶成長し、その後絶縁膜マスク4のパタ-ンを用いて、層5から7までの導波路構造を含みDBR構造高反射膜11を選択成長する。このとき、導波路構造では実屈折率導波型のBH構造を構成し、共振器端面に相対して基板面に垂直な外部共振器面を形成できる。DBR構造膜11は、導波路共振器と外部共振器に対して高反射膜となり、また電流狭窄層としても働く。この後、電極9及び10を蒸着して、スクライブすることによりの素子を得る。

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に設けた発光素子の光導波路構造において、該光導波路を伝搬して導波光が共振する方向に対して、該基板面に垂直な結晶層の両端面がFabry-Perot共振器を構成しており、さらに該共振器端面に相向かっておりかつ基板面に垂直な面を有した結晶層が外部共振器を構成していることからなるFabry-Perot共振器と外部共振器の複合共振器構造を有していることを特徴とする半導体レ-ザ素子。

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