半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-234240
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102326
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】多層金属配線の層間絶縁膜として圧縮性応力をもつ絶縁膜と引張り応力をもつ絶縁膜を組合せて用いることにより、お互いの応力を打ち消す。【構成】下層のアルミニウム配線2を含む表面に圧縮性応力を有するプラズマ酸窒化膜3及び引張り応力を有するCVD酸化膜4を順次堆積した後段差を緩和するためSOG膜5を形成して、エッチバックし、表面を平坦化してその上に圧縮性応力を有するプラズマ酸窒化膜6を堆積する。【効果】層間絶縁膜の応力を打ち消すことにより、ストレスマイグレーションによる金属配線の一部欠落や断線等の不良の発生を防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けた下層の金属配線と、前記金属配線を含む表面に圧縮性応力を有する第1の絶縁膜及び引張り応力を有する第2の絶縁膜を積層して設けた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けた上層の配線とを備えたことを特徴とする半導体装置。

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