特許

J-GLOBAL ID：200903031365517485

半導体製造装置

発明者： 米島 利彦 ,  米満 修司
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-153443
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321032
出願日： 1996年05月24日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】ベント部を有する半導体製造装置の排気系であっても簡単な構成で効果的な排気を行える様にする。【解決手段】ベント部5の下流に負圧域を形成し、ベント部の下流側の負圧域によりベント部の流体が吸引され、ベント部での流体の流れが促進される。

請求項（抜粋）：

ベント部の下流に負圧域を形成した排気系を具備することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (7件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/3065

FI (7件)：

H01L 21/31 A ,  C23C 16/44 D ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 S ,  H01L 21/302 B