特許
J-GLOBAL ID：200903031367667069
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-307915
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162080
出願日： 1993年12月08日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 戻り光を遮光して正確にAPC制御する。【構成】 受光素子22の前方に、前方からの戻り光を遮光する遮光部材23を配置する。
請求項（抜粋）：
両端面方向へ光を発するレーザ素子と、該レーザ素子の一端面側に配された光強度モニタ用受光素子と、前記レーザ素子の他端面側と前記受光素子との間で前記他端面側から前記レーザ素子の上面側を通って前記受光素子へ向かう光を遮蔽する遮光部材とを備える半導体レーザ装置。
引用特許：
前のページに戻る
