特許

J-GLOBAL ID：200903031373225191

半導体製造装置およびポリイミド膜の形成方法

発明者： 飯島 正行 ,  佐藤 昌敏 ,  浮島 禎之
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-191798
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021866
出願日： 1998年07月07日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 簡易な工程で安定した物性を有する層間絶縁膜用の低比誘電率高分子複合膜を形成するための半導体製造装置および半導体素子内の低比誘電率ポリイミド膜を蒸着重合により容易に形成する方法の開発。【解決手段】 半導体製造装置において、蒸着重合用原料モノマーの蒸発源を備える蒸着重合室へ導入される該モノマーの導入量を制御するために、気体流量コントローラーを該蒸着重合室と該モノマー蒸発源との間に設ける。かかる装置を用いて、基板上に原料モノマーを蒸着重合せしめてポリイミド膜を形成するに際し、該気体流量コントローラーによって、該蒸発源で気化されたモノマーの供給量を制御して該蒸着重合室へ導入し、該基板上に蒸着重合によりポリイミド膜を形成する。

請求項（抜粋）：

ウエハーの出し入れのための室とウエハーの搬送用ロボットを備えたコア室と複数の半導体製造プロセス室とからなり、該プロセス室の少なくとも一室が蒸着重合用原料モノマーの蒸発源を有する蒸着重合室である枚葉式の半導体製造装置において、該蒸着重合室と該原料モノマー蒸発源との間に、該蒸発源から該蒸着重合室へ導入される該原料モノマーの供給量を制御するための気体流量コントローラーが設けられていることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  C08G 73/10 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/68

FI (5件)：

H01L 21/31 B ,  C08G 73/10 ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/312 B ,  H01L 21/68 A

Fターム (44件)：

4J043PA02 ,  4J043QB15 ,  4J043QB26 ,  4J043QB31 ,  4J043RA35 ,  4J043SA06 ,  4J043SB01 ,  4J043TA22 ,  4J043TB01 ,  4J043UA122 ,  4J043UA131 ,  4J043UA662 ,  4J043UA672 ,  4J043UB121 ,  4J043VA021 ,  4J043VA041 ,  4J043XA07 ,  4J043XA40 ,  4J043XB39 ,  4J043XB40 ,  4J043ZA43 ,  4J043ZA46 ,  4K030BA35 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA12 ,  4K030JA05 ,  4K030KA41 ,  5F031CC11 ,  5F031KK07 ,  5F031LL02 ,  5F045AA03 ,  5F045AB39 ,  5F045AC07 ,  5F045DC63 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB08 ,  5F045EE04 ,  5F045HA16 ,  5F058AC02 ,  5F058AF01 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 銅配線製造方法、半導体装置、及び銅配線製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-046323   出願人：日本真空技術株式会社
• 有機高分子薄膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-197865   出願人：古河電気工業株式会社
• 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-350262   出願人：東レ株式会社
• CVD薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-330674   出願人：大阪瓦斯株式会社
• 特開昭63-297563