特許
J-GLOBAL ID:200903031373641403
温度センサー校正ウエハ構造および製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
浅村 皓 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-003599
公開番号(公開出願番号):特開平7-311095
出願日: 1995年01月12日
公開日(公表日): 1995年11月28日
要約:
【要約】【目的】 熱励起製造プロセスを校正するための、信頼でき、費用効率の高い正確な手段を得る。【構成】 本発明の半導体ウエハ構造は、半導体基板、前記半導体基板の上に配置された複数個の温度感知要素(12)、および温度感知要素(12)を外部装置へ接続する複数個の相互接続ライン(10、14)を含み、前記温度感知要素(12)は温度感知要素の電気的特性がウエハの温度変化に伴って変化するように作られている。更に、本半導体ウエハ構造は半導体基板と温度感知要素に重畳するパッシベーション層を含む。温度感知要素は温度に依存する電気抵抗率を有する高融点導体で作られており、それの幅はそれの長さよりもずっと小さい。相互接続ラインは導体から作られ、前記導体の幅は温度感知要素の高融点導体の幅よりも大きい。
請求項(抜粋):
半導体ウエハ構造であって、半導体基板、前記半導体基板の上に配置された複数個の温度感知要素であって、前記温度感知要素の電気的特性がウエハ温度の変化に伴って変化するように作製された複数個の温度感知要素、および前記温度感知要素を外部装置へ接続する複数個の相互接続ライン、を含む半導体ウエハ構造。
IPC (2件):
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開平2-254331
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特開昭58-072059
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特公平1-043894
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